パワー半導体の分野で、SiCやGaNなど化合物半導体系の材料を使った製品開発が活発化してきた。今回のSCR大喜利では、「パワー半導体の技術マップを探る」と題し、デバイスの材料を軸としてパワー半導体事業の先行きを見通していただいている。今回の回答者はIHSテクノロジーの大山聡氏である。
IHSテクノロジー 主席アナリスト
1985年東京エレクトロン入社。1996年から2004年までABNアムロ証券、リーマンブラザーズ証券などで産業エレクトロニクス分野のアナリストを務めた後、富士通に転職、半導体部門の経営戦略に従事。2010年より現職で、二次電池をはじめとしたエレクトロニクス分野全般の調査・分析を担当。
【質問1の回答】耐圧領域やスイッチングのスピードに明確な差があるため続く
現時点では、600V~1200VレベルにおいてはSiCとGaNの双方が対応可能な領域である。これより高圧だとSiC、低圧だとGaNが有効とされている。今後のプロセスの発展次第では、共存領域が変化することもあり得るが、両者の耐圧領域は必然的に棲み分けられる、と考えている。
またスイッチングのスピードについては、GaNの方が有利で、SiCとの差異化要因として将来的にも有望視できると考えている。