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FDSOI

トランジスタを立体化せず微細化し続ける

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2014/02/27 00:00
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28nm世代のFDSOIトランジスタを集積したST社の試作チップ
28nm世代のFDSOIトランジスタを集積したST社の試作チップ
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 FDSOI(fully depleted silicon on insulator:完全空乏型SOI)は、LSIの高速化と低消費電力化に寄与する次世代トランジスタ技術である。立体トランジスタ(FinFET)と同様に、MOSトランジスタの微細化限界を克服する手段になる。

 FDSOIトランジスタでは、電子が流れる領域(ボディー部)とSi基板を薄い酸化膜で隔てる。これにより、ボディー部に電子や正孔などの粒子(キャリア)がほとんど存在しない状態にする。このような構造にすると、MOSトランジスタの寸法を小さくした時、意図せずトランジスタを流れてしまう電流(リーク電流)の発生を抑えられる。つまりFDSOIトランジスタは、その寸法を小さくしやすい(微細化に向く)。

 FDSOIトランジスタに関する最近の大きなトピックは、伊仏STMicroelectronics(ST)社が業界に先駆けて、先端技術世代でのFDSOIトランジスタの量産技術を確立したことだ。同社は2014年1月の「国際カーエレクトロニクス技術展」で、車両の全周囲モニターシステムやADAS(先進運転支援システム)向けのLSIに、28nm世代のFDSOIトランジスタ技術を適用する計画であることを明らかにしている(関連記事)。

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