何事もなければ、このブログが公開されている頃に、私はドイツ・ニュルンベルクにいるはずです。執筆時は、まだフランクフルトにいます。
ニュルンベルク渡航の目的は、パワー素子やパワー・エレクトロニクス（パワエレ）機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2013」を取材するためです。カンファレンスと共に展示会も併設されており、同分野の最新技術や製品が発表されます。世界中から大手企業が出展しており、もちろん日本企業も例外ではありません。
注目は何といっても、SiCやGaNといった次世代パワー半導体を利用した素子や、同素子を応用したパワエレ機器です。例えば、SiCでは三菱電機がパワー・モジュールの新製品を展示する予定です。
GaNパワー素子に関しては、高耐圧化が技術開発の今のトレンドです。実際カンファレンス内では、耐圧600Vや同耐圧を超えるGaNパワー素子についての講演が複数あります。例えば、米Transphorm社が講演する予定です。
加えて、現行のSiを利用したパワー素子の最新動向も気になっています。特に、性能向上の伸びしろが以前よりも狭まってきたと言われているIGBTやIGBTモジュールで、どのような新技術が登場するのか、興味深いところです。
カンファレンスでは、IGBTモジュールのインダクタンス成分を低減し、高速スイッチングを実現する技術の発表に注目しています。例えば、ドイツSimens社が登壇する予定です。
この他、super junction（SJ）構造を採用したSi MOSFETの新技術の発表もあります。例えば、ドイツInfineon社は、オン抵抗が1Ωmm2以下と小さいSJ MOSFETについて講演します。SJ MOSFETで高いシェアを持つ同社だけに、どのような新技術か楽しみです。
PCIM Europe 2013の会期は5月14～16日（セミナーやチュートリアル講演は12日から開催）。何事もなければ（？）、今週から関連ニュースをTech-On!に掲載していく予定です。もちろん、日経エレクトロニクスでも、取り上げます。ご興味のある方、ご一読いただければ幸いです。
