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　各国の政府が再生可能エネルギーや交通といった分野への支出を減らすために、IGBTデバイスとモジュールのメーカーは試練を経験することになるだろう。

　ほとんどのIGBTメーカーは、パワー・エレクトロニクスの分野全体で競合している。独Infineon Technologies社や三菱電機、富士電機といった大手企業には、3300Vまでの電圧を絶縁できるデバイスを提供している強みがある。収益面では、600～900Vの製品が最も大きな市場を持っている。

　いくつかの企業は、白物家電やカメラのフラッシュといった大きな販売量が見込める用途を狙い、さらに低い電圧（200～600V）のレンジに参入しようとしている。これらが一般消費者向けの用途であるため、IGBTメーカーは、スーパー・ジャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）との競争に加えて、価格圧力にも悩まされることになるだろう。しかし、市場全体としては成長していくだろう。