先日、本コラム（エディターズ・ノート）にて、2012年に続いて2013年もSiCやGaNといった次世代パワー半導体の適用範囲が広がりそうだと書きました（関連エディターズ・ノート）。あれから2カ月ほどしか経過しておりませんが、その間に興味深いニュースが飛び込んできました。

SiC分野では、三菱電機が2013年2月に発表した、定格電圧1200V、定格電流1200Aのパワー・モジュールに注目が集まりました（Tech- On!関連記事1）。特徴は、1200Aと電流容量が大きいこと。電流容量を高めたことで、「FA機器や昇降機、太陽光・風力発電システムなどに適用できる」（発表会場の説明員）としていました。そして早速、発表の約2週間後には、高速エレベータの制御装置に適用することを明らかにしました（同2 ）。昇降機への適用を明言するのは、おそらく世界初でしょう。三菱電機は、エアコンの他、鉄道車両や加工機の駆動装置にSiCダイオードを採用し、実用化済みです。今度は昇降機と、今後同社がどこまでSiCを適用していくのか、興味は尽きません。

　一方、GaN分野でも、大きな発表がありました。8インチ・ラインでの製造開始のニュースです。日本インターが、GaNパワー素子の前工程について、米Transphorm社と生産受託契約を締結したことを2013年2月に明らかにしました（Tech- On!関連記事3）。製造ラインは口径8インチ基板（ウエハー）に対応します。GaNパワー素子は、これまで口径6インチのSi基板上で作製されていました。そのため、8インチ・ウエハーを使ったGaNパワー素子の量産開始は「業界初」（日本インター）です。6インチから8インチへと大口径化することで、どの程度生産性が向上するのか気になるところです。

　さて、こうした次世代パワー半導体の動向を、2013年3月22日開催のイベント「JTNフォーラム 2013 Spring～日本の製造業復活の芽はここにある～」内にて紹介します（同イベント紹介ページ）。2012年の話題を中心に、なぜSiCやGaNなどがパワー半導体に向くのか、基本的な内容についても解説する予定です。ご興味のある方、ぜひご参加いただければ幸いです。