金沢のエレベータ死亡事故調査と、「LED」「SiC」「鉄道」に関する記事－－。2013年2月7～20日の2週間、テーマサイト「産業機器・部材」で多くの読者から読まれたニュースの多くは、そうしたものだった。
金沢のエレベータ死亡事故とは、2010年10月に金沢市のホテルで発生した業務用エレベータにおける死亡事故のこと。4位に入った記事では、国土交通省の社会資本整備審議会昇降機等事故調査部会が発表した同事故の原因調査の中間報告に基づき、同事故の原因を紹介した。同エレベータでは、ブレーキライニングが摩耗するとブレーキを保持しにくい構造となっていたこと、およびブレーキ動作に関わるばねを締めすぎたことでより摩耗が進んだことなどが原因とされる。
LED関連では、「IDEC、白色LEDモジュールの新製法を開発」（5位）や、「シャープ、1万4000lmの明るさを実現したLEDデバイスを開発」（13位）がランクインした。前者は、疑似白色LEDモジュールの品質の安定化や工程の簡素化を可能とする新製法について紹介したもの。後者は、1万4000lmという明るさに優れる新開発のLEDについて執筆した記事だ。LEDは省エネルギな光源として市場が拡大してきていることから多くの読者を引き付けたといえそうだ。
SiC関連では、6位に「三菱電機、定格電圧が1200V、定格電流が1200Aと世界最大容量のフルSiCパワー半導体モジュールを開発」という記事が、7位に「1度に40枚をスライス---三菱電機がSiC用のワイヤ放電加工機を開発」という記事がランクインした。フルSiC（炭化ケイ素）とは、MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）もSBD（ショットキー・バリア・ダイオード）もSiCで作ったもの。従来は、FA機器や昇降機、太陽光・風力発電システムなどの産業用途にも使える大容量のフルSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールはなかった。それを三菱電機が実現したというのが前者の記事だ。そして、そうしたSiCパワー半導体モジュールに不可欠なSiCウエハを低コストに造れるようにするのが、後者の記事で紹介したスライス技術。SiCインゴットから同時に40枚のウエハを切り出せるという。SiCは近年、パワー半導体向け材料として需要が拡大してきている。SiC関連の記事への関心が今回高かったのは、その1つの表れといえるかもしれない。
鉄道関連では、「三菱電機、電車の回生エネルギを有効活用する電力融通技術を開発」「NEC、小田急電鉄に新列車無線システムを納入開始、ソフト無線技術で相互乗り入れに1台で対応」という記事が、それぞれ9位と15位に入った。現在、鉄道システムにおいて、減速中の電車で回生した電力を、加速中の電車に架線を介して供給する技術はある。しかし、実際には回生可能なエネルギのうちの約20％が捨てられている。前者の記事で紹介したのは、この約20％のエネルギのうちの最大80％を有効活用できるようにする技術だ。鉄道のようなインフラ関連技術は、新興国などにおいて需要の伸びが期待されており、今後の成長分野として目される。こうした点も多くの読者の興味を集めた一因といえそうだ。
