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HOMEエレクトロニクス電子デバイス専門記者が振り返る2012年 > 次世代パワー半導体この1年――SiCが鉄道や産業機器に、GaNは耐圧600V品が登場

専門記者が振り返る2012年

次世代パワー半導体この1年――SiCが鉄道や産業機器に、GaNは耐圧600V品が登場

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/21 18:46
  • 1/1ページ
 現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込めるSiCやGaNといった次世代パワー半導体。2012年は、その実用化が大きく進んだ。中でも、採用が活発化したのがSiCダイオードで、鉄道や産業機器にまで広がった。
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