半導体デバイス 半導体デバイスの最新情報・トレンドを知る
 

半導体メモリ、この1年――エルピーダ破綻が象徴したポストDRAM時代の到来

大下 淳一=日経エレクトロニクス
2012/12/06 00:00
印刷用ページ
2012年2月27日に会社更生法の適用を申請したことを受けて同日開催した記者会見に臨む、エルピーダメモリの坂本幸雄氏
2012年2月27日に会社更生法の適用を申請したことを受けて同日開催した記者会見に臨む、エルピーダメモリの坂本幸雄氏
[クリックすると拡大した画像が開きます]

 2012年の半導体メモリ業界における最大のニュースは、DRAM業界3位のエルピーダメモリが2012年2月に経営破綻したことだろう(Tech-On!関連記事1同2同3)。国内唯一のDRAMメーカーであり、経営トップの坂本幸雄氏の剛腕ぶりが常に話題を集めてきた同社の破綻は、各方面に衝撃を与えた。

 このニュースが象徴するのは、DRAMが半導体産業の成長を支える時代が終わりを告げ、いよいよポストDRAM時代が訪れようとしていることだ。長くパソコンとともに成長を続けてきたDRAM市場は、スマートフォンやタブレット端末の台頭による近年のパソコン市場の停滞を反映して、ほぼ完全に飽和している。WSTS(World Semiconductor Trade Statistics:世界半導体市場統計)の2012年秋季 半導体市場予測によれば、DRAMの世界市場は2012年に前年比で大きく落ち込む見通しであり、2011~2014年の平均成長率もマイナスになる見込みである(Tech-On!関連記事4)。こうした環境下でエルピーダがDRAM専業メーカーとして生き残ることには、そもそも無理があった。

 DRAMは市場が飽和しているだけではなく、技術的な限界にも直面している。現在量産されている2xnm世代の2~3世代先に当たる15nm世代前後で、DRAMの微細化は止まるとの見方が支配的だ。ただでさえ、市場が飽和して価格が下げ止まっている現状では、DRAMメーカー各社は微細化を進めてチップ供給量を増やすことは避けたい状況にある。今後は、生き残った少数のメーカーがゆっくりとしたペースで微細化を進めていくことになりそうだ。そして微細化限界後には、TSV(Si貫通ビア)を用いた3次元積層がDRAMの大容量化や高速化の主流技術になる見通しである。

ここから先は日経テクノロジーオンライン会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の会員登録ボタンをクリックして、会員登録を完了させてからご参照ください。会員登録は無料です。

【9月18日(金)開催】
高精細映像時代に向けた圧縮符号化技術の使いこなし方
~H.265/HEVCの基礎から拡張・応用技術とその活用における心得~


本セミナーでは高品質、高信頼、高効率に製品化するために標準化された高圧縮符号化技術、H.265/HEVCについて、その基盤となった符号化技術の進展から映像・製品特性に適切に圧縮符号化技術を使いこなす上で知っておきたい基本とH.265/HEVCの標準化、実装、製品化に向けた基礎及び拡張技術の理解と活用の勘所等について詳解します。詳細は、こちら
会場:中央大学駿河台記念館 (東京・御茶ノ水)

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング