「SEMICON West 2010」では，2012年から必要とされるであろう22nm以降の露光技術として，EUVリソグラフィに期待する声が高まっていた。EUVリソグラフィの技術的な課題としては，マスクのインフラの整備とマスク欠陥への対処，レジストの開発，光源の出力確保が挙げられている。これまでは，ダブル・パターニングに期待する声も高かったが，半導体製造コストの抑制，深い焦点深度による高いプロセス余裕度から，「量産はEUVリソグラフィで行うのがベスト・ケース」というのがほぼ一致した見解になりつつある。
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