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HOMEエレクトロニクス電子デバイスデータから読み解くデバイス新潮流 南川レポート > 省エネ革命の主要デバイスとして注目される次世代パワー半導体(中編)

データから読み解くデバイス新潮流 南川レポート

省エネ革命の主要デバイスとして注目される次世代パワー半導体(中編)

  • 南川 明=アイサプライ・ジャパン
  • 2010/02/08 00:00
  • 1/2ページ

前回から続く)

3 パワー・デバイスの主役であるMOS FETとIGBT

 パワー個別半導体はPBT,MOS FET,IGBTなどに分けられる。このうちPBTは古い製品であり,現在はMOS FETとIGBTが主役になっている。このうちMOS FETは,耐圧が40V程度までの低・中耐圧向けと,それ以上の高耐圧向けの二つに分けられる。

 低・中耐圧MOS FETのアプリケーションを見ると,コンピュータ向けが多く,民生機器,通信機器がこれに続く(図3)。主に2次電池で駆動する携帯電子機器のスイッチング電源に使われている。この市場は,携帯電子機器の台数成長とともに市場拡大が約束されており,安定した需要拡大を見込むことができる。

図3 低・中耐圧MOS FET市場予測
[画像のクリックで拡大表示]

 一方,高耐圧MOS FET市場は民生機器の割合が高く,続いて有線通信,コンピュータなどである(図4)。民生機器の比率が高いのは,液晶テレビやPDPテレビにおいてドライバLSIの駆動用回路と電源制御回路の両方にパワーMOS FETが使われているためである。この市場も,2008年からの供給過剰と世界的な景気後退で2009年は落ち込んだが,2010年以降は順調に成長していくだろう。

図4 高耐圧MOS FET市場予測
[画像のクリックで拡大表示]

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