省エネ革命の主要デバイスとして注目される次世代パワー半導体（前編）

2010/02/01 00:00

南川明＝アイサプライ・ジャパン

1　新エネルギー産業がパワー半導体市場を押し上げている

　2008年の原油価格高騰により，省エネルギー・新エネルギーの開発機運が世界で一気に高まり，CO₂排出量削減や脱石油を目指すようになった。この結果，ガソリン自動車に代わる電気自動車（EV）の開発が精力的に進められている。さらに，太陽光や風力といった自然エネルギーの利用技術が省エネ社会のキー・テクノロジーといわれており，米国をはじめとする先進各国は“グリーン・ニューディール”政策を積極的に進めようとしている。このような新エネルギー産業の育成は，米国で500万人，中国で1000万人，ドイツでは200万人といわれる新たな雇用創出を，もう一つの目的としている。

　これまで，多くの電子機器はより多くの電力を消費することで高性能や多機能を実現する方向に進化してきた。またパソコン（PC）や携帯電話機，AV機器などに搭載される半導体において，パワー半導体の占める割合はせいぜい10％だった。一方エネルギー産業に使われる機器では，半導体に占めるパワー半導体の割合が50％を超える場合が多い。つまり，これまでの電子機器で常識だった半導体コンテンツの急変が起こり始めているといえる。

　ここでは広義のパワー半導体をパワー・マネージメント半導体と定義する。そこには，IGBT（insulated gate bipolar transistor），MOS FET，パワー・バイポーラ・トランジスタ（PBT），パワー･ダイオードなどのパワー個別半導体に加え，リニア・レギュレータ，スイッチング・レギュレータなどの電源回路，さらにはこれらを制御するためのパワー・マネージメント用ロジックLSIなどが含まれる。このようなパワー・マネージメント半導体の市場規模は，2008年に265億米ドルだったと見ている（図1）。2013年には319億米ドルに達すると予想する。その中でMOS FETとIGBTはそれぞれ，2008年は52億米ドルと21億米ドルであり，2013年は74億米ドルと27億米ドルに増えるだろう。