今回の技術で試作したLSI内蔵パッケージ　左上は外観，右上は主な仕様。下は断面のSEM画像。Cu板とBGA（ボール）の間がインタポーザ。その上方にLSIチップが埋め込まれている。NECおよびエレクトロニクス実装学会のデータ。
今回の技術で試作したLSI内蔵パッケージ
左上は外観，右上は主な仕様。下は断面のSEM画像。Cu板とBGA（ボール）の間がインタポーザ。その上方にLSIチップが埋め込まれている。NECおよびエレクトロニクス実装学会のデータ。
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　NECは，多ピン・薄型・高放熱性という特徴を備えたLSI内蔵パッケージ技術を開発した。同社は，このパッケージの狙いや特徴，製造技術，評価結果に関する講演を「第19回マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES 2009）」（9月10日と11日に福岡大学で開催）で行った（セッション2A4の3番目と4番目）。

　今回のLSI内蔵パッケージは，次世代携帯機器を狙って開発した。同社によれば，次世代の携帯機器は，現在のネットブックやノートPC並みの性能・機能を，現在の携帯電話機程度の大きさで実現する。その機器の中核を担うマイクロプロセサやSoCなどの多ピンLSIの収容に向けたのが，今回のLSI内蔵パッケージである。