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【電子産業史】年表:1971年~2007年

2008/08/29 10:00
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半導体/ディスプレイ/電子部品/電池

1971
  • 米Intel社,紫外線消去型EPROMを製品化(9月)
  • スイスF.Hoffmann-La Roche社,TN液晶モードの論文を発表
1972
  • 米IBM社のRobert H. Dennard氏,MOSスケーリング則を発表(12月)
  • 富士通がマトリクス型PDP発売
  • 米Texas Instruments社,1トランジスタ方式DRAMの最初のウエハー試作で全ビット動作
1973  
1974
  • 日立製作所,DRAM向けの折り返しビット線技術の特許を出願
1975  
1976
1977
  • 松下電子工業,MOSFET向けLDD技術の特許を出願
1978
1979
  • 英University of DundeeがアモルファスSiでTFTを試作
  • 富士通研究所,HEMT基本動作を確認
1980
  • ニコン,国産初のステッパー(解像度1μm)を出荷
1981
  • 日立製作所が民生機器向けにMOSイメージ・センサを量産
  • IBM Zürich研究所,走査型トンネル顕微鏡で原子像を観察
1982  
1983
  • ソニーがCCDの本格的な量産を開始
1984  
1985
  • 米Intel社がDRAM事業から撤退(10月)
  • 東芝,フラッシュ・メモリの基本動作に成功
1986
  • 東芝がNANDフラッシュ・メモリの論文を発表(12月)
  • 三菱電機,TSOPを開発
1987
1988
  • 米Ramtron社が256ビットのFRAMを開発
1989  
1990  
1991  
1992
1993
1994
  • 国内半導体メーカー10社が半導体産業研究所を設立(4月)
  • 台湾で半導体メーカーが躍進
  • 韓国Samsung社,256MビットDRAMの全ビット動作を確認
  • 半導体工場の局所クリーン化が加速
1995
  • 日立製作所,NECがそれぞれ1GビットDRAMを学会発表(2月)
  • 日立製作所,IPSモードの液晶パネルを発表
  • 韓国Samsung社,液晶パネル量産ライン立ち上げ,参入
1996  
1997
  • 米IBM社がCu配線技術を発表(10月)
1998
  • 日亜化学工業が青紫色レーザで8000時間以上の寿命を達成(9月)
1999
  • NECと日立製作所のDRAM部門を統合したエルピーダメモリが設立(12月)
2000
  • 米IBM社が1KビットのMRAMを発表(2月)
  • Jack Kilby氏がノーベル物理学賞を受賞(12月)
2001
2002
  • NECが半導体事業を分社(11月)
2003
  • 日立製作所と三菱電機のシステムLSI事業を統合してルネサス テクノロジ設立(4月)
  • 日本電子がエネルギー密度の高い電気2重層キャパシタを発表(10月)
2004
  • 韓国Samsung SDI社,プラズマで100型超パネルを発表(1月)
2005  
2006
  • 韓国LG Philips LCD社,液晶で100型超パネルを発表(1月)
  • ソニー製Liイオン2次電池に,加熱・発火に至る不具合が発生
2007
  • 米Texas Instruments社やソニーが最先端論理LSIの製造プロセスの自社開発を取りやめ
  • 小糸製作所,トヨタ自動車の「レクサスLS600h」向けにLEDヘッドランプを実用化(3月)
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