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EPC

EPC、同等定格MOSFET面積比1/8の小型耐圧40 V GaN・パワー・トランジスタを発売

製品・サービス

  • 2017/12/21 00:00

Efficient Power Conversion(EPC)、同等の定格のMOSFETに比べて面積が1/8と小型の耐圧40 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

GaNパワー・トランジスタのEPC2049は、POL(負荷点)コンバータ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、低インダクタンス・モーター駆動向けに、同等の定格のシリコンMOSFETに比べて面積が1/8と小型の40 V、5 mΩのパワー・トランジスタをパワー・システムの設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年12月19日、POL(負荷点)コンバータ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡用電源回路、D級オーディオ、および、低インダクタンスのモーター駆動などのアプリケーションに使えるパワー・トランジスタ「EPC2049」を発売しました。EPC2049の定格電圧は40 V、最大オン抵抗RDS(on)は5 mΩ、パルス出力電流は175 Aです。

チップ・スケール・パッケージに封止したEPC2049は、チップ・スケールのデバイスから直接、周囲に放熱されるので、プラスチック・パッケージ封止のMOSFETよりも、熱特性がはるかに優れています。これに対して、MOSFETチップからの熱はプラスチック・パッケージ内に保持されてしいます。この製品の面積は、わずか2.5 mm×1.5 mm(3.75 mm2)と小型です。設計者は、もはや、大きさと性能のどちらかを選択する必要がなくなりました――すなわち、両方とも実現できます。

「EPC2049は、当社および窒化ガリウム・トランジスタ技術が、いかにeGaN(r)デバイスの性能を高め、コストを削減できるかを実証しています。EPC2049は、eGaN技術とMOSFET技術との性能とコストのギャップがさらに広がり続けている証拠です」とEPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

●米国での参考価格と購入方法
eGaN FETのEPC2049の1000個購入時の単価は2.19米ドルで、米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)で購入でき、即座に出荷されます。

●EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。ウエブサイトは、http://epc-co.com/epc/jp/です。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation
Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

EPC2049 GaNパワートランジスタ

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