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HOMEPR News > 高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh™パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス(株)

高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh™パワーMOSFET

製品・サービス

  • 2017/10/25 00:00

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、スーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DK5シリーズ」の新製品を発表しました。高速リカバリ・ダイオードの優れた特性を活かした同製品は、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を備えたLLC共振コンバータを含む多様な電力変換トポロジの効率を最大化します。

この新しいスーパージャンクション型のパワーMOSFET(定格電圧:950V~1050V)は、通常のプレーナ型のパワーMOSFETに比べて、ダイ面積あたりのオン抵抗(RDS(ON))が低く、定格電流が高いことに加え、優れたスイッチング特性を備えています。同製品は、大電力装置用コンバータ(高バス電圧で動作する通信・データセンター用サーバ、工業用溶接機、プラズマ発生機、高周波誘導加熱器、X線装置など)において、電力効率を向上させると共に、併用部品を減らして電力密度を向上させることができます。

高速リカバリ・ダイオードを内蔵する新製品は、幅広い入力電圧範囲で高い効率が要求されるアプリケーションで使われるZVS LLC共振コンバータの高効率化を可能にします。また、その他のブリッジ型コンバータやバッテリ充電用のブーストDC-DCコンバータにも、低損失と優れたダイナミック特性というメリットを提供します。現在入手可能な高速ダイオード内蔵の超高耐圧パワーMOSFETと比べて、STのMDmesh DK5パワーMOSFETは、クラス最高の逆回復時間(trr)と最小のMOSFETゲート電荷(Qg)およびRDS(ON)を実現し、スーパージャンクション型パワーMOSFETとして最適な入出力容量特性(Coss、Ciss)を兼ね備えています。

STのスーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET(800V~1500V)を拡充するMdmesh DK5ファミリは、6種類の新製品で構成され、TO-247、TO-247(ロング・リード)、Max247およびISOTOPパワー・パッケージで提供されます。STWA40N95DK5、STY50N105DK5およびSTW40N95DK5は現在量産中で、単価は1000個購入時に約8.85ドルです。

詳細については、www.st.com/mdmeshdk5をご覧ください。

お問合せは販売代理店またはSTマイクロエレクトロニクスまで:
■アクシスデバイス・テクノロジー(株) マーケティング&セールス部 03-5484-7340
■クロニクス(株) 03-5322-7191
■都築電気(株) ソリューション技術部 03-3502-2533
■(株)ネクスティ エレクトロニクス STグループ 03-5462-9622
■バイテックグローバルエレクトロニクス(株) 03-3458-0301
■伯東(株) デバイスソリューションカンパニー 03-3355-7635
■(株)マクニカ ブリリアントテクノロジーカンパニー 045-470-9831

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