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セミコン・ジャパン 2005 スペシャル･レポート

「SEMI Technology Symposium（STS）2005」の見どころ

リソ，材料，DFMを駆使し，
45〜32nmの技術障壁を突破

　微細化がますます難しくなる中で，リソグラフィや新材料，設計と製造をつなぐDFM（design for manufacturability）といった技術の重要性が高まっている。「セミコン・ジャパン2005」の技術シンポジウム「SEMI Technology Symposium（STS）2005」では，45nm（hp65）〜32nm（hp45）ノードに向けた技術課題とその突破口に向けた提案が続出する。

■露光装置3社が火花

　リソグラフィは，45nmノードから液浸ArF露光技術の本格導入が始まる。液浸露光の技術開発は大詰めを迎えており，露光装置メーカー間の競争が激しくなってきた。オランダASM Lithography社（ASML）は開口数（NA）1.2の装置を2006年第1四半期に出荷する。ニコンはNA1.3の装置を2006年後半に投入し，形勢逆転を狙う。出遅れていたキヤノンもNA1.3クラスの装置を2007年初頭に出荷する。今回も「リソグラフィ」のセッションにおいて，ASML，ニコン，キヤノンの露光装置大手3社が火花を散らす。

　このリソグラフィ・セッションでは，液浸露光の次を目指した技術開発テーマが登場する。EUV（extreme ultraviolet）露光やマスクレス露光（mask less lithography：ML2）である。EUV光源の開発状況について，米Cymer, Inc.が報告するほか，EUV露光装置の進捗をASMLが示す。マスクレス露光に関しては，1万本を超える電子ビームを使った超並列描画技術についてオランダMapper Lithography社が報告する。

■DFMの報告が続出

　新材料に関する技術開発は，全体的に当初の予定よりも遅れ気味だが，着実に前進している。「先端デバイス」のセッションでは，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを組み合わせたCMOSデバイス技術を，米IBM Corp.が報告する。「多層配線」のセッションでは，低誘電率（low-k）膜のダメージ抑制技術などを半導体先端テクノロジーズ（Selete）が示す。「エッチング」のセッションでは，MRAM（magnetoresistive RAM）向けの磁性体薄膜のドライ・エッチング技術をソニーが明らかにする。

　DFMは，さまざまな取り組みがあるが，現状ではリソグラフィに関連する取り組みが特に注目を集めている。露光波長よりも短い寸法を描く現在のリソグラフィでは，回路レイアウトの中に解像しにくい点（クリティカル・スポット）が含まれる。このような点を事前に予測し，設計と製造が協調して対策していくことが欠かせない。このような取り組みの一端が，「マスク」のセッションに登場する。システムLSI設計におけるDFMの重要性を，半導体理工学研究センター（STARC）が示すほか，DFMとマスクの関わりについてルネサス テクノロジが報告する。DFMに関連する発表は「テスト」のセッションにも登場する。

　このほか，今後の半導体工場のあり方について，広島エルピーダメモリ，米Intel Corp.，NECエレクトロニクスなどが「マニュファクチャリングサイエンス」のセッションで講演する。（木村 雅秀=日経マイクロデバイス）

（「セミコン・ジャパン2005 NAVIGATOR」から抜粋）