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HOME > セミコン・ジャパン 2005 スペシャル･レポート > 【大手半導体製造装置メーカーに聞く】米Novellus Systems, Inc.

セミコン・ジャパン 2005 スペシャル･レポート

大手半導体製造装置メーカーに聞く

米Novellus Systems, Inc.

生産性から技術革新重視へ
65〜45nm世代に迅速に対応

Mark G. Fissel 氏
Vice President, Corporate Marketing

　2005年は，これまで強みにしてきた「装置の生産性の高さ」に加えて，「装置に導入する革新技術」を新たな強みにすることができた。この革新技術に関しては，以下のような成果があった。第1に，90nmノード（hp130）以降に向け，Ta用CVD技術「PNL（Pulsed Nucleation Layer）」を量産向け技術として定着させることができた。PNLは，高品質のTa膜を高速に成膜できる特徴がある。第2に，65nmノード（hp90）以降に向け，高密度プラズマによるギャップ埋め込み技術「SPM（Sequential Profile Modulation）」を確立した。SPMは，STI（shallow trench isolation）に絶縁膜を埋め込む際に高いカバレッジを実現する。第3に，45nmノード（hp65）向け技術の開発を加速させた。バリヤー/シード層向けのPVD技術「i-ALD（ion-induced atomic layer deposition）」がその一例である。ALDでCu膜を成膜できる点に特徴がある。

　技術革新だけではなく，ビジネス面でも成果があった。第1に，PVDのシェアが拡大した。2004年初頭のユーザー数は6社だったが，2005年に18社と3倍に伸ばした。この分野では，装置の拡張性の高さが評価された。第2に，PNL技術を導入したCVD装置でユーザーを獲得した。量産向けでの高い信頼性を評価された結果である。

　2006年の目標は大きく二つある。第1に，PVDやCMP（化学的機械研磨）といった市場の大きい分野でシェアを伸ばすことである。例えば，PVDのシェアは現状20％程度だが,これをさらに伸ばしていきたい。第2に，低誘電率（low-k）膜向け装置のような，今後の立ち上がりが期待される分野へ積極的に製品を投入していくことである。この分野では，比誘電率2.5〜2.8のlow-k膜に対応する紫外線硬化（UVキュア）装置を開発済みである。　（談）

（「NIKKEI MICRODEVICES 2005年12月号」から抜粋）